概述

需要解决1.晶格失配导致缺陷密度高、内量子效率低。AlGaN与衬底材料之间的晶格失配极大，导致穿透位错密度很高；穿透位错缺陷常常导致非辐射复合，严重影响内量子效率；紫外量子阱缺乏类似InGaN局域态效应，光效对位错密度极为敏感。2.光提取效率极低。原因系深紫外LED发光模式从TE模转变为TM模；光在平滑界面易发生全反射；LED内部吸收，包括p-GaN接触层的吸收。 技术指标：AlGaN基大功率高效深紫外LED芯片实现280nm以下，输出光功率不低于40mW。