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超高集成氮化镓功率器件控制与驱动0待机芯片研发
概述
开发一款高集成功率soc 芯片,该芯片包含PWM数字控制核心、氮化镓栅极驱动器和数字算法反馈电路等,将以上器件三合一集成到一个封装内,采用第三代smart-feedback技术,让其数字环路自动适配其他品牌模拟反馈芯片,同时提升数字核心响应速度,实现0待机功耗,实现绿色能源,充分响应国家碳达峰,碳中和的战略目标,最终模块转换效率大于95%,待机功耗小于5mw,功率密度达到1.5w/cm3。
已过期:截止至2022-09-16
金额:0万元-5000万元