概述

当前的BGA封装所用的高散热材料铟片，在制程过程中由于助焊剂残留导致在高温制程过程中会有铟片空洞产生（空洞率10%左右），会影响产品在后续使用过程中散热问题。 希望通过新材料的开发，在不影响现有制程的前提下，可以有效降低铟片在高温过程中的空洞率的产生（控制在5%）。