高精度AlSc合金靶材的制备研究
概述
1、靶材均一性问题 高掺杂Sc的AlScN薄膜能显著提升机电耦合性能和压电系数,但因为Sc在Al中固溶度低,熔点差异大导致很难制备高Sc含量的AlSc合金靶材,实验室有将单独的Al靶材和Sc靶材切割成小片,交替排列在镀膜设备真空腔体内,反应溅射得到高Sc含量的AlScN薄膜,此结构复杂,薄膜性能难以保证,仅限于实验室研究而难以大规模商业应用。如何制备均匀的合金锭是得到高性能靶材的前提。 2、靶材微观结构控制 靶材内部的晶粒大小、晶向直接决定了溅射成膜的均匀性和溅射速度,从而也显著影响后续产品的品质,因此,晶粒晶向的控制是溅射靶材生产过程中的关键技术。 3、精密机械加工 半导体行业使用的PVD设备对于靶材的尺寸要求也很高,尺寸的偏差不仅会影响客户的经济性,还可能会影响到客户产品的质量。因此必须确保靶材的尺寸和公差进行精确的控制,通常要求公差在10um以内,表面粗糙度不高于0.4um。
已过期:截止至2022-09-16
金额:200万元-400万元