概述

委托研究开发功率 MOS （场效应晶体管）技术开发项目，具体开发细节可对接后详谈。我方会在项目启动时，以文件方式提供Fab 端详细工艺参数。并支付研究开发经费和报酬。

需求详情

技术目标:功率 MOS 技术开发。技术内容：1)完成初步仿真验证;2)设计完整的工艺流程;3)设计工艺监测版图;4)设计器件监测版图;5)设计第一代产品级版图; 6)设计模型参数提取版图。