概述

合金锭、晶粒晶向的控制、靶材尺寸等制备的研究

需求详情

1、靶材均一性问题高掺杂Sc的AlScN薄膜能显著提升机电耦合性能和压电系数，但因为Sc在Al中固溶度低，熔点差异大导致很难制备高Sc含整的AlSc合金靶材， 实验室有将单独的Al靶材和Sc靶材切割成小片，交替排列在锻膜设备真 空腔体内，反应溅射得到高Sc含蜇的AlScN薄膜，此结构复杂，薄膜性能难以保证，仅限于实验室研究而难以大规模商业应用。2、靶材微观结构控制靶材内部的晶粒大小、晶向直接决定了溅射成膜的均匀性和溅射速度， 从而也显著影响后续产品的品质，3、精密机械加工半导体行业使用的PVD设备对于靶材的尺寸要求也很高，尺寸的偏差不仅会影响客户的经济性，还可能会影响到客户产品的质量。需求：1.如何制备均匀的合金锭，这是得到高性能靶材的前提；2.晶粒晶向的控制，这也是溅射靶材生产过程中的关键技术；3.确 保靶材的尺寸和公差进行精确的控制，通常要求公差在1Oum以内，表面粗糙度不高于0. 4um。希望有相关团队可以提供技术支持。