概述

低温银浆技术满足异质结电池装配需求：在低温银浆中，银粉不能直接接触，电子依靠量子隧道效应从一个银粉单位转移到另一个银粉单位，所以电导率比烧结型银浆低，银粉之间的相对接触面积是影响银浆电导率的一个重要因素。故需求开发低温银浆，体电阻率≤5μΩ·cm，主栅拉力≥1.3N/mm

需求详情

低温银浆技术满足异质结电池装配需求：在低温银浆中，银粉不能直接接触，电子依靠量子隧道效应从一个银粉单位转移到另一个银粉单位，所以电导率比烧结型银浆低，银粉之间的相对接触面积是影响银浆电导率的一个重要因素。故需求开发低温银浆，体电阻率≤5μΩ·cm，主栅拉力≥1.3N/mm