概述

在宇航、核能等环境下工作的半导体元器件常常遭受到高能粒子（γ射线、质子、电子、中子、α粒子和重离子等）辐射，常常引起器件光电性能的退化甚至永久失效。而高抗辐射器件的研制往往存在迭代周期长、盲目试错和造价昂贵等问题，亟需建立高效率、高精度的半导体元器件辐射仿真与数据平台。为此，需要通过建设半导体在不同粒子辐射下的参数数据库，构建半导体辐射损伤的多尺度动力学物理模型，打造从微观缺陷和载流子到器件宏观光电性能的一体化模拟平台，从而预估半导体器件辐射性能，深入研究半导体器件性能退化机制，探索提高器件抗辐射性能的理论方案，以形成完整的抗辐射器件研发、仿真、测试和评估。

需求详情

在宇航、核能等环境下工作的半导体元器件常常遭受到高能粒子（γ射线、质子、电子、中子、α粒子和重离子等）辐射，常常引起器件光电性能的退化甚至永久失效。而高抗辐射器件的研制往往存在迭代周期长、盲目试错和造价昂贵等问题，亟需建立高效率、高精度的半导体元器件辐射仿真与数据平台。为此，需要通过建设半导体在不同粒子辐射下的参数数据库，构建半导体辐射损伤的多尺度动力学物理模型，打造从微观缺陷和载流子到器件宏观光电性能的一体化模拟平台，从而预估半导体器件辐射性能，深入研究半导体器件性能退化机制，探索提高器件抗辐射性能的理论方案，以形成完整的抗辐射器件研发、仿真、测试和评估。

技术参数

典型器件仿真误差小于10%、提高仿真效率1-2个数量级、提高典型器件抗辐射性能1-2个数量级、缩短抗辐射器件研发周期50%以上