概述

解决深紫外LED光效极低问题

需求详情

需求背景：深紫外发光二极管（deep-ultraviolet light-emitting diode, DUV-LED）具有环保无汞、寿命长、功耗低、响应快、结构轻巧等诸多优势。近年来，深紫外LED技术取得了快速发展，主要体现在光效和可靠性不断提高，这一方面得益于芯片制造过程中氮化物材料外延和掺杂技术的进步，另一方面归功于深紫外LED封装技术的发展。但是与波长较长的近紫外和蓝光LED相比，深紫外LED的光效和可靠性仍有很大提升空间。需要解决：1．晶格失配导致缺陷密度高、内量子效率低。AlGaN与衬底材料之间的晶格失配极大，导致穿透位错密度很高；穿透位错缺陷常常导致非辐射复合，严重影响内量子效率；紫外量子阱缺乏类似lnGaN局域态效应，光效对位错密度极为敏感。2．光提取效率极低。原因系深紫外LED 发光模式从TE模转变为TM模；光在平滑界面易发生全反射；LED内部吸收， 包括p-GaN接触层的吸收。技术指标： AlGaN基大功率高效深祡外LED芯片实现280nm以下，输出光功率不低于40m\V。