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降低BGA铟片空洞率材料研发
概述
降低BGA铟片空洞率材料研发
需求详情
当前的BGA封装所用的高散热材料铟片,在制程过程中由于助焊剂残留导致在高温制程过程中会有铟片空洞产生(空洞率10%左右),会影响产品在后续使用过程中散热问题。希望开发新材料,降低表面张力,低的表面张力有利于焊料与焊剂的扩散,有利于气体的逃逸,空洞会比较少;在不影响现有制程的前提下,有效降低铟片在高温过程中的空洞率的产生(控制在5%)。
已过期:截止至2023-09-01
金额:100万元-120万元