概述

解决（111）正晶向硅片抛光后彩虹雾的问题，提供一套成熟量产工艺，使（111）正晶向硅片抛光后，在强光灯照射下无彩虹雾和其它表面异常现象；交付时间：2023年9月

需求详情

研发成果简介为了降低正晶向硅片在生产中的彩色雾发生率，并同时改善硅片表面微观形貌，在3粗+1中+1精抛光工艺中，第1、2台粗抛采用SUBA800粗抛布，达到一定去除速率，第3台粗抛采用SUBA600粗抛布进行过渡，以便中抛对粗抛后表面微粗糙进行更好地修复。另外(111)重掺硼产品抛光去除速率较慢，为更好匹配机械抛光，第3台粗抛PH值降低到10.4，使机械研磨和化学腐蚀作用平衡，从而改善硅片表面微观形貌。本项目现在处于工艺测试阶段，已投入资金130万元，并组建了5人的研发团队，其中包含1名博士、2名硕士。当前成果只改善了表面粗糙状态，对彩虹雾无明显改善。核心需求：解决（111）正晶向硅片抛光后彩虹雾的问题，提供一套成熟量产工艺，使（111）正晶向硅片抛光后，在强光灯照射下无彩虹雾和其它表面异常现象；交付时间：2023年9月对揭榜方要求希望揭榜方有强大的研发团队，拥有半导体行业最前段的理论经验，对晶体和光学有深入研究。产权归属、利益分配等要求产权归属：上海中欣晶圆半导体科技有限公司利益分配：按劳分配、详细可谈.