概述

通过进行超大直径高纯度半导体级石英坩埚生产工艺设计,研制开发具有自主知识产权超大直径高纯度半导体级石英坩埚（尺寸达到28英寸以上），使得生产的产品尺寸精度更高、杂质含量更低,显著提高拉晶成晶率及稳定性，满足集成电路、芯片制造需要

需求详情

通过进行超大直径高纯度半导体级石英坩埚生产工艺设计,研制开发具有自主知识产权超大直径高纯度半导体级石英坩埚（尺寸达到28英寸以上），使得生产的产品尺寸精度更高、杂质含量更低,显著提高拉晶成晶率及稳定性，满足集成电路、芯片制造需要，项目具体研究内容包括：1）超大直径高纯度半导体级石英坩埚研制，使得产品杂质含量总和≤10PPM,透明层气泡密度≤10 个/mm2，实现高纯度的特点。2）超大直径高纯度半导体级石英坩埚生产工艺设计及生产装备改进，提高半导体级石英坩埚的尺寸精度及纯度控制,实现半导体级石英坩埚外径尺寸公差范围控制在±4mm以内(行业标准外径＞457mm,允许外径公差范围±6mm)，大幅提升产品尺寸精度。