半导体超细键合铜丝表面钯金属膜制备及其对键合性能的关键技术研究
概述
本项目研究涉及的技术领域包括多种类型新材料、化学制剂等的材料、化学领域研究,拉丝、镀层等十余道精密生产工艺研究,以及退火装备、控制系统等的智能装备、先进控制系统研究,涉及到的领域非常广,单靠企业自身无法解决自材料、生产工艺到智能装备的全链条研究,同时企业自身的人才在专业领域、学术地位与国内外知名的高校、科研院所无法比拟,因此需要相关领域的科研院所或企业的人员团队共同攻克技术难题,
需求详情
研究键合铜丝钯金属覆膜技术,包括钯电镀的镀液成份、配比,以及温度、电镀时间和电流密度等研究,确保电镀完成后,镀层的厚度可以完全覆盖基材,并且在后面拉丝的过程中,线材表面没有损伤、开裂、露铜的现象。
项目预期
超细键合铜丝镀钯后,钯金属膜镀层技术指标如下:1)、镀层厚度80-150nm;2)、镀层均匀度(最大厚度与最小厚度相差比)<3%。镀钯键合铜丝的焊接性能指标如下:1)、无烧球(FAB)气孔,无球形(FAB)偏心;2)、IMC(金属间共金)≧80%。
已过期:截止至2023-08-31
金额:5万元-50万元