概述

第一周~第八周:工艺流程设计及仿真验证工作; 第九周~第十二周: 拉偏及产品版图设计; 第十三周~第士八周:国家知识产权局布图登记;

需求详情

1.技术目标:40V高压功率N-MOS 器件设计。2.技术内容:_1)，完成初步仿真验证;2)，设计完整的工艺流程;3)，设计工艺监测版图;4)，设计器件监测版图;5)，设计关键参数拉偏实验相关版图。3，技术方法和路线: 利用仿真工具进行仿真验证，根据仿真结果进行工艺流程设计，结合工艺流程和仿真结果进行版图设计，版图设计包括工艺监测，器件监测，以及关键参数拉偏实验。