概述

本产品研究开发的方向在于:1) 产品使用高电阻、高纯度(纯度7N以上)多晶硅材料加工而成;2) 通过分析沉积多晶硅与硅本体间的差异性，找出可通过化学处理的方式去除沉积层;3) 通过引入阻挡层 (如氮化硅、氧化硅、碳化硅)的技术方案，实现硅舟本体与沉积多晶硅的阻隔，从而得到化学去除的先前条件。

需求详情

1、低压气相沉积(LPCVD) 多晶硅工艺是在低压环境下在晶圆硅片表面沉积一层多晶硅，硅片表面沉积多晶硅的同时，作为晶圆承载的硅材料部件硅舟同时也会在表面沉积，当多晶硅沉积到一定厚度时，硅舟将面临尺寸变化等问题需要清洗返修，清洗返修主要目的为去除表面沉积多晶硅层。本产品开发的主要技术难点为: CVD多晶硅沉积的硅和硅舟本体材质相同，都属于多晶硅材料，因此在硅舟清洗返修时需要保证沉积层的有效剥除，同时又不损伤硅舟本体。同时硅舟在沉积工艺过程中，由于机台工艺及硅片装载的问题，硅舟表面呈非均匀沉积，多晶硅沉积硅厚度不一，难以通过化学等各向同性的方式实现有效清洗。2、希望通过产学研的合作方式，与高校进行产学研合作，共同进行该产品的技术开发，要求专家团队课题为半导体材料方向，对硅材料特性方面具有多年的研究和开发经验，同时，对气相沉积工艺有深刻的认识和研究，有多晶硅气相沉积相关研究设备、检测仪器等。本产品研究开发的方向在于:1) 产品使用高电阻、高纯度(纯度7N以上)多晶硅材料加工而成;2) 通过分析沉积多晶硅与硅本体间的差异性，找出可通过化学处理的方式去除沉积层;3) 通过引入阻挡层 (如氮化硅、氧化硅、碳化硅)的技术方案，实现硅舟本体与沉积多晶硅的阻隔，从而得到化学去除的先前条件。

项目预期

本产品研究开发的方向在于:1) 产品使用高电阻、高纯度(纯度7N以上)多晶硅材料加工而成;2) 通过分析沉积多晶硅与硅本体间的差异性，找出可通过化学处理的方式去除沉积层;3) 通过引入阻挡层 (如氮化硅、氧化硅、碳化硅)的技术方案，实现硅舟本体与沉积多晶硅的阻隔，从而得到化学去除的先前条件。