概述
1、局域寿命控制技术;
2、软度因子控制技术;
3、高结温、高可靠性技术。
VR=1200V;IF=55/100A Qrr=10µC;Tj=150℃
Typical Applications:freewheeling diode for IGBT
需求详情
技术需求:寻找意向单位委托开发,实现功率半导体芯片和器件产品性能提升的研发1、局域寿命控制技术;2、软度因子控制技术;3、高结温、高可靠性技术。VR=1200V;IF=55/100A Qrr=10µC;Tj=150℃Typical Applications:freewheeling diode for IGBT
技术参数
1、局域寿命控制技术;2、软度因子控制技术;3、高结温、高可靠性技术。VR=1200V;IF=55/100A Qrr=10µC;Tj=150℃Typical Applications:freewheeling diode for IGBT
项目预期
1、局域寿命控制技术;2、软度因子控制技术;3、高结温、高可靠性技术。VR=1200V;IF=55/100A Qrr=10µC;Tj=150℃Typical Applications:freewheeling diode for IGBT
已过期:截止至2023-12-15
金额:10万元-20万元