概述

由于碳化硅陶瓷材料的性能特点，在制备半导体装备用精密零部件时，存在诸多的技术难点和挑战，目前国际上只有日本、美国、韩国等国家的少数企业实现高端碳化硅陶瓷部件的生产，并成功应用于半导体装备中，形成了技术垄断，成为制约我国半导体装备用关键零部件的“卡脖子”技术，严重阻碍了我国半导体装备技术的发展，进而影响我国集成电路产业的进步。在国外对我国半导体核心产品和零部件实行技术封锁的大背景下，开发拥有自主知识产权的半导体装备及零部件成为半导体行业发展的重点。

需求详情

由于碳化硅陶瓷材料的性能特点，在制备半导体装备用精密零部件时，存在诸多的技术难点和挑战，目前国际上只有日本、美国、韩国等国家的少数企业实现高端碳化硅陶瓷部件的生产，并成功应用于半导体装备中，形成了技术垄断，成为制约我国半导体装备用关键零部件的“卡脖子”技术，严重阻碍了我国半导体装备技术的发展，进而影响我国集成电路产业的进步。在国外对我国半导体核心产品和零部件实行技术封锁的大背景下，开发拥有自主知识产权的半导体装备及零部件成为半导体行业发展的重点。

技术参数

1.硬度达到2600-3200kg/mm²。2.密度，碳化硅陶瓷的密度为3.2-3.3g/cm³。3.导热系数，碳化硅陶瓷的导热系数非常高，达到120-180W/(m·K)。4.热膨胀系数，碳化硅陶瓷的热膨胀系数相对较小，为4.5×10^-6/K。        5.电阻率10000Ω·cm以上。

项目预期

产品能在6个月内研发，并且能达到技术指标1.硬度达到2600-3200kg/mm²。2.密度，碳化硅陶瓷的密度为3.2-3.3g/cm³。3.导热系数，碳化硅陶瓷的导热系数非常高，达到120-180W/(m·K)。4.热膨胀系数，碳化硅陶瓷的热膨胀系数相对较小，为4.5×10^-6/K。       5.电阻率10000Ω·cm以上。