概述

由于碳化硅陶瓷材料的性能特点，在制备半导体装备用精密零部件时，存在诸多的技术难点和挑战，目前国际上只有日本、美国、韩国等国家的少数企业实现高端碳化硅陶瓷部件的生产，并成功应用于半导体装备中，形成了技术垄断，成为制约我国半导体装备用关键零部件的“卡脖子”技术，严重阻碍了我国半导体装备技术的发展，进而影响我国集成电路产业的进步。

需求详情

由于碳化硅陶瓷材料的性能特点，在制备半导体装备用精密零部件时，存在诸多的技术难点和挑战，目前国际上只有日本、美国、韩国等国家的少数企业实现高端碳化硅陶瓷部件的生产，并成功应用于半导体装备中，形成了技术垄断，成为制约我国半导体装备用关键零部件的“卡脖子”技术，严重阻碍了我国半导体装备技术的发展，进而影响我国集成电路产业的进步。

技术参数

一、碳化硅陶瓷的性能参数1.硬度达到2600-3200kg/mm²。2.密度，碳化硅陶瓷的密度为3.2-3.3g/cm³。3.导热系数，碳化硅陶瓷的导热系数非常高，达到120-180W/(m·K)。4.热膨胀系数，碳化硅陶瓷的热膨胀系数相对较小，为4.5×10^-6/K。        5.电阻率10000Ω·cm以上。

项目预期

希望在6个月内能解决技术难题，并能达到上述技术参数