概述

1.通过对六方氮化硼剥离改性，并与聚酰亚胺聚合物复合，实现聚合物基体中导热网络构建，实现传统聚合物薄膜导热系数 的有效提升; 2.开发的新型芯片散热用的超高导热薄膜材料导热系数应为无氮化硼填充下纯聚酰亚胺聚合物薄膜导热系数的5倍或 以上; 3.当六方氮化硼在聚合物中的填充体积分数为5%时，复合材料薄膜导热系数≥1.2W/(m·K),拉伸强度≥120 MPa; 4.导热系数达到或优于现有主流产品，一定程度上实现国产替代。

需求详情

1.通过对六方氮化硼剥离改性，并与聚酰亚胺聚合物复合，实现聚合物基体中导热网络构建，实现传统聚合物薄膜导热系数的有效提升;2.开发的新型芯片散热用的超高导热薄膜材料导热系数应为无氮化硼填充下纯聚酰亚胺聚合物薄膜导热系数的5倍或以上;3.当六方氮化硼在聚合物中的填充体积分数为5%时，复合材料薄膜导热系数≥1.2W/(m·K),拉伸强度≥120 MPa;4.导热系数达到或优于现有主流产品，一定程度上实现国产替代。

技术参数

1.通过对六方氮化硼剥离改性，并与聚酰亚胺聚合物复合，实现聚合物基体中导热网络构建，实现传统聚合物薄膜导热系数的有效提升;2.开发的新型芯片散热用的超高导热薄膜材料导热系数应为无氮化硼填充下纯聚酰亚胺聚合物薄膜导热系数的5倍或以上;3.当六方氮化硼在聚合物中的填充体积分数为5%时，复合材料薄膜导热系数≥1.2W/(m·K),拉伸强度≥120 MPa;4.导热系数达到或优于现有主流产品，一定程度上实现国产替代。

项目预期

1.通过对六方氮化硼剥离改性，并与聚酰亚胺聚合物复合，实现聚合物基体中导热网络构建，实现传统聚合物薄膜导热系数的有效提升;2.开发的新型芯片散热用的超高导热薄膜材料导热系数应为无氮化硼填充下纯聚酰亚胺聚合物薄膜导热系数的5倍或以上;3.当六方氮化硼在聚合物中的填充体积分数为5%时，复合材料薄膜导热系数≥1.2W/(m·K),拉伸强度≥120 MPa;4.导热系数达到或优于现有主流产品，一定程度上实现国产替代。