概述

1.需要研发出半导体设备应用的介质阻挡无声放电型臭氧发生器； 2.优化放电反应器这一核心部件的结构设计，改进介质及电极材料，从而减小放电空隙、提高供电频率、改进冷却方式。从而提高臭氧产率及臭氧浓度，降低功耗。

需求详情

【核心需求】：1.需要研发出半导体设备应用的介质阻挡无声放电型臭氧发生器；2.优化放电反应器这一核心部件的结构设计，改进介质及电极材料，从而减小放电空隙、提高供电频率、改进冷却方式。从而提高臭氧产率及臭氧浓度，降低功耗。【技术参数】：氧气源臭氧浓度大于200g/m3,臭电耗小于10kw h/kg低金属离子。

技术参数

氧气源臭氧浓度大于200g/m3,臭电耗小于10kw h/kg低金属离子。