D50在1微米以下的高导电银包铜粉体
概述
银包铜粉作为一种很好的高导电填料,广泛应用于电子、机电、通讯、印刷、航空航天、兵器等各工业部门的导电、电磁屏蔽等领域,国内银包铜技术近年发展迅猛,但成品颗粒平均粒径基本为3微米及以上,无法适用于一些精细化工艺,且成品颗粒的包覆致密性、分散性、导电性依旧存在缺陷,加之国际银价居高不下,生产制造成本高,急需替代品实现降本增效
需求详情
1.技术背景:银包铜粉作为一种很好的高导电填料,广泛应用于电子、机电、通讯、印刷、航空航天、兵器等各工业部门的导电、电磁屏蔽等领域,国内银包铜技术近年发展迅猛,但成品颗粒平均粒径基本为3微米及以上,无法适用于一些精细化工艺,且成品颗粒的包覆致密性、分散性、导电性依旧存在缺陷,加之国际银价居高不下,生产制造成本高,急需替代品实现降本增效。2.预期达到的效果:需研发出高稳定行、高分散性,平均粒径小于1微米,最大粒径小于2微米,且在150℃低温以下具有较高导电性的银包铜粉体。3.指标要求:1)具有较好的分散性,25℃粘度能达到1000~2000cp;2)具有较好的细度,细度板达到3微米以下;3)具有较好的电性能,为同尺寸粉体的3倍以内,即130℃体电阻率小于100微欧/厘米;4)具有较好的粒径分布,D50<1微米,D90<1.5微米,D100<2微米;5)具有较好的稳定性,常温下储存抗氧化性强,不同批次间的差异性小;6)具有较强的价格竞争优势,产品价格可控制在国际银价+铜价+不超过500元/每公斤的加工费。
已过期:截止至2024-12-31
金额:10万元-100万元