概述

适用于Micro LED制备，可玻璃基板上低温沉积出GaN（氮化镓）的溅射沉积设备，需要开发MOCVD或HVPE GaN 生长温度高于1,000℃或低温溅射（Sputter）GaN 沉积设备，（※MOCVD：金属有机化学气相沉积，HVPE：氢化物气相外延）

需求详情

技术必要性: 需要克服玻璃基板，低温工艺技术难题1.非晶态玻璃基板的外延epi生长限制由于玻璃基板的非晶性质，晶体薄膜生长困难非晶态玻璃基板无结晶方向，外延（Epitaxy）生长困难2.低温下GaN生长的限制在低温条件下实现MOCVD沉积困难，难以形成高品质薄膜NH3分解温度高，难以进行低温反应※目前LED通常是在结晶性基板如硅（Si）、蓝宝石（Sapphire）等衬底上生长GaN外延层来制备的技术内容：需要开发适用于GaN低温工艺的设备（≤600℃）从现有Si、Sapphire wafer衬底上生长GaN→转向玻璃基板上生长GaN的设备开发（要实现大面积制备，玻璃基板的沉积技术是必不可少的。）需要开发MOCVD或HVPE GaN 生长温度高于1,000℃或低温溅射（Sputter）GaN 沉积设备（※MOCVD：金属有机化学气相沉积，HVPE：氢化物气相外延）