概述

期望交付时间：一年以内 期望技术合作的机构性质：大型企业

需求详情

在HBM制造工艺过程中，由于芯片之间的发热和静电产生，ESD工艺中晶圆的半导体器件接触到电测设备的Wafer Probe时的静电产生以及晶圆老化测试（Wafer Burn-In Test）时的发热和静电产生等因素，导致芯片损坏等关键缺陷的发生，这直接影响了HBM的收率。为了解决这些问题，亟需一项在工艺前后管理和分析静电数据的技术。通过开发MI静电综合管理解决方案和模块，以及引入半导体后工艺FDC（故障检测与分类），可以系统地管理静电数据，从而提升HBM的收率。静电综合管理解决方案是一项用于系统管理和分析HBM制造过程中产生静电问题的技术。该技术将现有P&T工艺设备中使用的旧式离子发生器的模拟数据转换为数字数据，以便在FDC系统中进行管理。此外，通过同时管理温度和湿度，提升静电数据的准确性，并结合对工艺环境中各种因素的综合管理，能够细致地审查静电产生的原因，从而提高HBM制造工艺的效率。