概述

需要一款高性能、高可靠性的存储控制芯片，适用于需要高速数据处理和存储的应用场景，并对尺寸和能耗有一定的要求。

需求详情

核心需求：需要一款高性能、高可靠性的存储控制芯片，适用于需要高速数据处理和存储的应用场景，并对尺寸和能耗有一定的要求。项目内容：后端设计服务、DFT设计服务、测试服务项目要求：项目名称PANGU产品应用待定目标代工厂TSMC工艺及金属层结构TSMC 22nm 1P8MMPW or NTOMPW甲方数据交付类型RTL in产品应用温度范围-40~125°C目标尺寸(甲方预估值)6.5x6.5sq.mm(Shrink后)逻辑门数(甲方预估值 )约150K instance存储器容量(甲方预估值)待定信号IO数(甲方预估值 )20数字逻辑最高工作 频率240M(一个模块工作在1G,100~200instance)电源电压设定0.8v/1.8vIR Drop目标待定电源域个数待定时钟域个数待定特殊层次或工艺需求NA层次化/平面化设 计待定