概述

三代半碳化硅封装关键技术研发项目

需求详情

需求背景：功率半导体器件是现代电力电子设备的核心元件，广泛应用于新能源汽车、电力传输、工业自动化和消费电子等领域。随着这些行业对能效、功率密度和可靠性的要求不断提高，传统的硅基功率器件（如IGBT、MOSFET）逐渐无法满足高效、耐高温、高频应用的需求。三代半导体材料（如碳化硅SiC和氮化镓GaN）凭借其在高温、高压、高频条件下的优异性能，正逐渐取代传统硅基材料，成为功率半导体领域的主流技术。其中，碳化硅在高压、大功率场景下表现尤为突出。需求企业简介：公司成立于2012年，位于江苏苏州，公司主要致力于高功率半导体激光器芯片、高效率激光雷达与3D传感芯片、高速光通信半导体激光芯片及器件和系统的研发、生产和销售。产品广泛应用于：工业激光器泵浦、激光先进制造装备、生物医学美容、高速光通信、机器视觉与传感等。公司拥有一批高层次的人才队伍，包括多名国家级人才工程入选者和行业资深管理和技术专家以及4位院士组成的顾问团队等，公司研发技术队伍中硕士博士占比超过50%，团队多次获得各级部门重大创新团队和领军人才殊荣。已建成从芯片设计、MOCVD（外延）、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光器芯片的公司。公司高亮度单管芯片和光纤耦合输出模块、高功率巴条和叠阵等产品，在功率、亮度、光电转换效率、寿命等方面屡次突破，获多项专利，与全球先进水平同步。公司建立了完整的研发、生产及质量管理体系，通过了ISO9001质量体系，以高性能和高可靠性产品服务客户。核心需求：寻找意向单位开展三代半碳化硅封装关键技术研发项目预期：封装热阻低于0.05 K/W，确保高效散热；电气性能上，目标达到最大电流承载能力超过100 A，电压等级覆盖600至1700 V；机械可靠性方面，封装结构应能承受至少100次热循环测试而不产生性能退化。此外，研发要求注重材料创新，采用新型导热粘合剂和封装材料，以提高整体封装的机械强度和热管理效率。对合作方要求：过往有成功合作经验