概述

要求:非真空镀技术，技术成熟或相对成熟，镀层5-10微米结合力良好。对合作方有硅片电镀方面基础，无其它特殊要求。

需求详情

背景：随着微电子、光电子及半导体行业的快速发展，对表面处理技术，尤其是电镀技术的要求日益提高。非真空镀技术作为一种在常压或接近常压条件下进行的镀膜工艺，因其成本相对较低、工艺灵活且易于实现大规模生产，逐渐受到业界的关注。在特定的应用场景中，如硅片的表面处理，非真空镀技术能够提供均匀的镀层，满足特定的电学、光学或机械性能需求。现状：目前，非真空镀技术已经在多个领域取得了显著进展，包括电镀、化学镀、电泳等。这些技术在镀层厚度控制、镀层质量及与基材的结合力方面均达到了较高的水平。特别是对于硅片电镀方面，随着半导体制造技术的不断进步，对硅片表面镀层的要求也越来越严格，不仅要求镀层厚度精确可控（如5-10微米），还要求镀层与硅片之间具有良好的结合力，以确保器件的稳定性和可靠性。挑战：镀层均匀性：在非真空镀过程中，如何确保镀层在硅片表面均匀分布，避免出现厚度不均或局部未镀的情况，是一个技术难点。结合力优化：尽管非真空镀技术能够实现镀层与基材的结合，但在某些特定条件下，如高温、高湿或化学腐蚀环境中，镀层与硅片的结合力可能会受到影响。因此，如何进一步优化镀层与硅片的结合力，提高器件的耐用性和可靠性，是亟待解决的问题。工艺稳定性：非真空镀工艺涉及多个参数的控制，如电镀液的成分、温度、电流密度等。如何确保这些参数在长时间内保持稳定，避免因工艺波动导致的镀层质量问题，也是一个重要的挑战。达成目标：实现镀层厚度精确控制：通过优化非真空镀工艺参数，实现对硅片表面镀层厚度的精确控制，确保镀层厚度在5-10微米范围内，且分布均匀。提高镀层与硅片的结合力：通过选择合适的镀层材料、优化镀前处理和镀后处理工艺，提高镀层与硅片之间的结合力，确保在恶劣环境下也能保持稳定的性能。建立稳定的工艺体系：建立完善的非真空镀工艺体系，包括工艺流程、参数控制、质量检测等方面，确保工艺的稳定性和可重复性。寻找合适的合作方：寻找具有硅片电镀方面基础的合作方，共同推进非真空镀技术在硅片表面处理领域的应用和发展。合作方应具备一定的技术实力和生产能力，能够配合完成相关研发和生产任务。