概述

研发高强度、高可靠性的微米级铜银复合烧结浆料及其配套工艺，旨在克服现有银和铜烧结浆料的局限性，实现低成本、高性能的功率半导体封装解决方案。该技术需求包括银铜复合材料的配比优化、微米级颗粒制备、高效烧结工艺开发以及封装性能的全面评估。

需求详情

需求背景：功率半导体作为现代电子设备的核心组件，其封装技术直接影响电子产品的性能、可靠性和成本。传统的封装材料如纯银或纯铜烧结浆料，虽各具优势，但均存在不足。纯银烧结浆料导电性能优异，但成本较高；纯铜烧结浆料成本较低，但导电性能和机械强度相对较弱。因此，市场迫切需要一种既能保持优异导电性能，又能降低成本并提升机械强度的新型封装材料。银铜复合烧结贴装材料通过结合银和铜的优点，旨在以低廉的价格满足功率半导体封装的高要求，提高产品竞争力。技术需求概述：研发高强度、高可靠性的微米级铜银复合烧结浆料及其配套工艺，旨在克服现有银和铜烧结浆料的局限性，实现低成本、高性能的功率半导体封装解决方案。该技术需求包括银铜复合材料的配比优化、微米级颗粒制备、高效烧结工艺开发以及封装性能的全面评估。技术参数要求：复合材料配比：银与铜的比例需经过精确计算和优化，以实现最佳的导电性能和机械强度平衡。颗粒尺寸：银铜复合颗粒需达到微米级，以确保良好的烧结效果和均匀的微观结构。烧结温度与时间：开发高效、节能的烧结工艺，确定最优的烧结温度和时间，以保证材料的高致密度和良好结合。导电性能：复合烧结体的导电率需达到或超过行业标准，满足功率半导体封装的高导电需求。机械强度：复合烧结体的抗弯强度、剪切强度等机械性能指标需满足或优于现有封装材料。可靠性：经过长期老化测试，复合烧结体的性能稳定，无明显退化，满足高可靠性要求。