概述

IGBT等芯片的功率密度提升，对系统散热的要求越来越苛刻，为满足该要求，未来需要芯片可以承受更高的工作结温，以满足高功率密度、高效等技术发展趋势。

需求详情

需求背景：在高频应用中，目前IGBT的技术基本已经达到瓶颈，超结（Super Junction）技术是IGBT的终极芯片结构技术，目前国外知名公司均在开发。当前我公司需解决的技术问题：1、高结温IGBT，Tjmax=200℃，满足未来高功率密度的需求；2、超快速Super Junction IGBT：采用精细沟槽栅技术，开发650V 超快速IGBT，开关速度比目前主流H5、H7系列提升15%以上，并且优化EMI等特性，满足终端应用效率日益提高的需求。