概述

第一阶段:委托开发钛酸钡(150nm~300nm),在还原气氛烧结温度低于1200℃的中温条件下,使用材料不含卤素与六价铬等危害物质,实现细 晶抗还原X7R(S)型介质陶瓷材料研制,基本介电性能达到:烧结温度≤1200℃,圆片K=3800±10%,介电损耗≤2.0%,容量温度变化率:△C/C25℃(-55~+125℃) :- 15%~+15%,并在公司平台实现MLCC样品正样。 第二阶段:实现产品投产验证,指针性产品X7R/0402/1.0uF/16V或X7R/0805/10uF/25V相关要求.产品基本电性与尺寸需符合日系Murata或TDK规格要求 2. 可靠度规范 2-1 Life:25V (25V*1.5)1000hr RC 10 2-2 Humidity额定电压85C/85C 1000hr RC 10 2-3 Hot IR衰退率:25V额定电压在96hr的时间测试下,衰退率不可低于一个Order =>RC 25C 100(Ω ·F)->RC 125C10(Ω ·F) 2-4 DC-bias与日系Murata或TDK差异在+/-10%内 2-5温度循环规范:在1000次循环后,RC值能与初始RC值的差异在+/-5%规范内。 2-6产品TC容值变化能符合EIA规范-55C~125C容值变化率能控制在+/-15%。

需求详情

第一阶段:委托开发钛酸钡(150nm~300nm),在还原气氛烧结温度低于1200℃的中温条件下,使用材料不含卤素与六价铬等危害物质,实现细晶抗还原X7R(S)型介质陶瓷材料研制,基本介电性能达到:烧结温度≤1200℃,圆片K=3800±10%,介电损耗≤2.0%,容量温度变化率:△C/C25℃(-55~+125℃) :- 15%~+15%,并在公司平台实现MLCC样品正样。第二阶段:实现产品投产验证,指针性产品X7R/0402/1.0uF/16V或X7R/0805/10uF/25V相关要求.产品基本电性与尺寸需符合日系Murata或TDK规格要求2. 可靠度规范    2-1 Life:25V (25V*1.5)1000hr RC 10    2-2 Humidity额定电压85C/85C 1000hr RC 10    2-3 Hot IR衰退率:25V额定电压在96hr的时间测试下,衰退率不可低于一个Order =>RC 25C 100(Ω ·F)->RC 125C10(Ω ·F)    2-4 DC-bias与日系Murata或TDK差异在+/-10%内    2-5温度循环规范:在1000次循环后,RC值能与初始RC值的差异在+/-5%规范内。    2-6产品TC容值变化能符合EIA规范-55C~125C容值变化率能控制在+/-15%。