概述

企业需求：先进封装材料攻关 一、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT)基板技术研发和产业化 (一)主要攻关内容。开展高密度双马来酰亚胺三嗪树脂(BT)基板(包括FCCSP封装基板、存储芯片基板2款产品研发，突破生产核心技术，通过产业链客户测试验证，形成量产能力。 (二)技术指标要求。 1、FCCSP 封装基板: 线宽/线距≤6um/8um。 2、存储芯片基板: 三层基板厚度≤75mm (三)产业化要求:项目实施期内，通过国内企业WBBGA,FCCSP等封装产线测试验证，具备小批量供应能力。 (四)其他要求。该款材料核心原材料应为国内厂商生产，在项目资金申请报告逐一说明核心原材料供应情况。 二、积层膜(ABF)基板技术研发和产业化，主要攻关内容，开展积层膜(ABF)基板研发。

需求详情

一、双马来酰亚胺三嗪树脂（BT）基板技术研发和产业化​​​（一）主要攻关内容​​材料特性优化​：开发低介电损耗（Df ≤ 0.008 @10GHz）、高玻璃化转变温度（Tg ≥ 220°C）的BT树脂配方，满足高频信号传输需求。通过纳米填料（如二氧化硅/氧化铝）增强基板机械强度，降低热膨胀系数（CTE ≤ 12 ppm/°C），匹配芯片与PCB的CTE差异。​微细线路加工技术​：突破≤6μm/8μm线宽/线距的图形化工艺，采用半加成法（mSAP）或改良型减成法，解决细线路蚀刻中的侧蚀与毛刺问题。开发激光直写或纳米压印技术，替代传统光刻，降低微孔加工成本。​薄型化与多层结构​：存储芯片基板需实现三层结构总厚度≤75μm，通过超薄铜箔（≤3μm）和低流胶半固化片（PP）层压工艺控制厚度