概述

随着AI时代的到来，电子产品的热功耗持续攀升，如何有效管理电子产品芯片于峰值功率运行时所产生的热量，成为亟待解决的关键问题。借助储热材料，将峰值功率下生成的热量储存起来，并使之缓慢释放，是一种行之有效的应对策略，这不仅有助于降低芯片所达到的最高温度，还能进一步提升芯片的运算能力，延长其使用寿命，为电子产品的高性能、长续航注入强大动力。

需求详情

1.​芯片峰值功耗适配性​：材料需在 ​32~45℃范围内实现±1℃精度定制，覆盖主流芯片（如CPU/GPU）峰值功耗下的结温区间（40~85℃），避免相变滞后导致热失控。相变过程需具备 ​窄温区特性​（相变区间≤5℃），确保热量快速吸收与释放，降低芯片温度波动幅度。2.​瞬态热冲击应对能力​：需在​毫秒级时间尺度​ 内响应芯片功率突变，吸收瞬时热流密度≥500 W/cm²。相变过程需 ​高度可逆，避免因热应力导致材料结构失效。制备高相变焓值储热材料实现其性能如下：相变点32~45℃可定制；质量焓值＞290J/g；体积焓值＞225J/cm3。