概述

制备方面：由于在碳碳复合材料陶化过程中反应熔体渗透工艺（RMI）参数调控不够精确，如埋粉均匀性欠佳、高温处理的温度和时间把控不准，致使材料截面碳、硅元素质量比偏离理想 SiC ，综合这些原因造成制备的 C/C-SiC 复合材料存在电阻率高且不稳定、表面有裂纹、涂层厚度不均的性能缺陷。

需求详情

技术创新需求主要内容主要问题：（1）制备方面：由于在碳碳复合材料陶化过程中反应熔体渗透工艺（RMI）参数调控不够精确，如埋粉均匀性欠佳、高温处理的温度和时间把控不准，致使材料截面碳、硅元素质量比偏离理想 SiC ，综合这些原因造成制备的 C/C-SiC 复合材料存在电阻率高且不稳定、表面有裂纹、涂层厚度不均的性能缺陷。（2）物相鉴定方面：由于缺乏精准的物相分析手段来确定材料中含 Si 颗粒是否为 SiC ，而达不到深入研究材料性能和有效控制产品质量的目的，导致企业无法针对性优化材料，增加了产品研发成本和周期。支持需求：（1）人才需求：需要引进材料科学、材料加工工程等相关专业领域的高端人才，特别是具备反应熔体渗透工艺优化、材料微观结构分析、先进物相表征技术等方面经验的人才，组建专业研发团队，为技术创新提供人力支持。（2）技术合作需求：期望与高校、科研机构建立紧密合作关系，共享前沿技术成果，开展产学研联合项目。借助外部科研力量攻克技术难题，提升企业技术创新能力。

技术参数

1、硬性指标：（1）密度：2.0~2.2g/cm3；（2）抗压强度：≥160MPa；（3）抗弯强度：≥120MPa；（4）摩擦性能：摩擦系数0.25~0.45，摩擦系数热衰退≤15%，摩擦力矩湿态衰退≤5%；（5）物相质量比：Si≤10%，C为20%~60%，SiC在30%~70%；（6）涂层质量：表面涂层厚度均匀，平均厚度控制在50μm~80μm，且无明显裂纹和缺陷；（7）微观结构：材料内部孔隙分布均匀，SiC颗粒均匀分散、与碳纤维结合紧密、无明显界面缺陷。2、选择性指标：（1）使用温度：-50℃~1650℃；（2）耐腐蚀性：耐酸性、耐碱性、耐盐水腐蚀；（3）成本控制：在保证材料性能的前提下，将制备成本降低20%~30%。通过优化工艺参数、选择合适的原材料等方式，减少原材料浪费和能源消耗，提高生产效率，增强产品市场竞争力。（4）生产效率：将制备周期缩短30%~50%，从实验阶段的制备周期，优化到能够满足工业化生产的节奏，提高企业产能，降低生产成本。