CCD探测器研发
概述
国产高性能CCD探测器关键器件研发
需求详情
寻求国产替代的高性能CCD探测器,满足科学研究、精密测量和高端成像应用需求。现阶段高性能CCD核心器件依赖进口,限制了我国在天文观测、空间探测、光学成像等领域的发展。通过研发国产CCD器件,可提升自主可控能力,推动高端探测与成像技术突破。
技术参数
像素尺寸:13.5 μm芯片尺寸:27.6 mm × 27.6 mm制冷性能:最低制冷温度 ≤ -70 ℃量子效率:≥95%
项目预期
项目通过攻克高性能CCD探测器的设计与制造技术,实现关键核心器件国产化。
已过期:截止至2025-09-30
金额:150万元-180万元