概述

通过半导体器件在柜内散热分部，研究如何能快 速导出热量，并合理规划柜内元器件的分部。

需求详情

通过半导体器件在柜内散热分部，研究如何能快速导出热量，并合理规划柜内元器件的分部，具体目标包括： (1) 提高氮气纯度：研发的关键目标之一是生产高纯度的氮气。 (2) 提升制氮效率：提高单位时间内的氮气产量，以满足大规模工业生产的需求。(3) 降低能耗：在能源成本日益增加的背景下，降低制氮机的能耗。

技术参数

一、 纯度1.氮气纯度≥99.99%2.关键杂质含量：氧气(O₂):≤3ppm(目标99.99%纯度时)、水分(H₂O):露点≤-70°C、二氧化碳(CO₂):≤1ppm二、效率1.额定产氮量：提供不同型号，覆盖范围如5~200Nm³/h(标准立方米/小时)。2.氮气回收率≥40%~60%3.系统升负荷时间：从启动到产出额定纯度氮气的时间≤3分钟。三、能耗1.比能耗≤0.35~0.45kWh/Nm³(在额定纯度及产气量下)2.整机运行功率提供与产氮量对应的功率范围，并显著低于同级传统设备。3.待机功耗≤1.5kW四、控制精度纯度控制偏差≤±0.1%、压力控制精度≤±0.1bar、量控制精度≤±2%F.S.(满量程)*(以上指标可以在实际开发过程中，根据实际产品纯度和型号进行调整)