概述

国产高速施密特触发光耦芯片研发

需求详情

该高速光耦芯片主要应用于施密特触发的高速光电耦合器，用于高速信号传输及光敏集成电路。现有国内产品性能与国际先进水平存在差距，国外参考型号为 AVGVO 公司的 HCPL-5201、HCPL-5231，国内参考型号为北光 GH5201 和 GH5231。为满足高可靠性、高速响应的应用需求，亟需实现国产化研发与性能提升。

技术参数

输出高电平电流 (IOH, μA)：-55℃、25℃ ≤ 200，125℃ ≤ 300；输出低电平电压 (VOL, V)：≤ 0.6；输出高电平电压 (VOH, V)：≥ 2.4；高电平电源电流 (ICCH, mA)：25℃ ≤ 15，-55℃、125℃ ≤ 20；脉冲上升时间 (tr, ns)：-55℃、25℃ ≤ 100，125℃ ≤ 200；更多指标需进一步沟通。

项目预期

开发满足施密特触发特性要求的国产高速光耦芯片，提升在高速数字接口、隔离驱动及电力电子中的应用性能，实现对国外产品的替代。