概述

微结构刻蚀提升硅基电容容量与可靠性

需求详情

三维高密度硅基电容器通过在硅片表面刻蚀微结构，显著增加电极面积，从而在同等体积下实现更高的电容密度，减少器件尺寸，提升单位面积的电容量。其具备高温适应性、高频性能、可靠性及规模化潜力，广泛应用于航天航空、电子雷达、5G通信、智能穿戴、汽车电子、船舶制造及民用电子等领域。目前国产产品在高密度加工工艺、可靠性一致性上仍有提升空间

技术参数

单位面积电容值：≥10nF/mm²；微结构线宽：≤2μm；微结构深宽比：2～30；更多指标需沟通。

项目预期

突破硅基电容高密度微加工与制备技术，研制可批量化应用的国产高性能电容器，实现小型化与高可靠性需求