概述

（1）研究和开发适用于高导热 AMB 陶瓷基板的活性金属钎焊材料以及高温钎焊工艺，实现铜箔-氮化硅陶瓷的高密度焊接。 （2）为了更好的实现产品图形的定制化，需要更好的掌握蚀刻和化银工艺。

需求详情

高性能Si3N4（氮化硅）AMB覆铜陶瓷基板的研发技术背景主要源于电子封装和半导体行业对更高性能材料的持续需求。随着微电子技术、光电子技术以及功率器件的发展，高性能 Si3N4 AMB 覆铜陶瓷基板能满足高热导率、优异电绝缘性能以及高强度、高可靠性的要求。目前要解决的技术问题： （1）研究和开发适用于高导热 AMB 陶瓷基板的活性金属钎焊材料以及高温钎焊工艺，实现铜箔-氮化硅陶瓷的高密度焊接。 （2）为了更好的实现产品图形的定制化，需要更好的掌握蚀刻和化银工艺。