概述

围绕“国产替代”与“垂直整合”战略，攻克用于新能源汽车、工业控制等关键领域的高可靠性、高性能车规级功率器件及其专用测试芯片的核心技术，实现从芯片设计、工艺制造到测试封装的全面自主可控，构建安全、高效、有竞争力的供应链体系，最终达到与国际一线IDM（整合器件制造商）厂商同台竞争的水平。

需求详情

技术难题背景当前国内在车规级功率半导体领域存在明显技术短板，尤其在高压MOSFET、IGBT等核心器件上严重依赖进口，制约了新能源汽车等战略产业的安全与发展。现状与挑战车规级功率器件需满足极端温度、高可靠性及长寿命要求，技术门槛极高；高压器件面临导通电阻与开关损耗的平衡难题，设计与工艺挑战大；测试成本高、周期长，缺乏自主测试能力制约产品迭代与竞争力提升。SG MOS（分栅MOSFET）中高压系列： 针对电动汽车OBC（车载充电机）、DC-DC转换器等应用，开发耐压600V-1200V的系列产品，解决高压下的导通电阻与开关损耗优化问题。SGT MOS（屏蔽栅MOSFET）中低压系列： 针对电动车辆域控制器、电机驱动、电池管理系统等应用，开发耐压30V-200V的系列产品，追求极低的导通电阻和优异的开关特性。IGBT单管及模块： 面向主驱逆变器、工业变频器等大功率应用，开发新一代场截止型IGBT芯片及模块，优化饱和压降与关断损耗的折衷关系，提升功率密度。

技术参数

SGT MOS (低压)耐压 (BVDSS)40V - 100V，导通电阻(Rds(on))    < 1-5 mΩ·mm² (根据电压等级)   SG MOS (高压) 耐压 (BVDSS)600V - 1200V，品质因数 (Rds(on)*Area)达到或优于国际竞品   IGBT耐压 (VCES)  650V - 1200V，饱和压降 (Vce(sat)) @125°C<1.7V(650V)

项目预期

开发覆盖600V-1200V的SG MOS、30V-200V的SGT MOS及650V-1200V IGBT系列产品，性能对标国际一线厂商；构建自主测试芯片与测试平台，降低测试成本，缩短开发周期；实现从芯片设计到测试封装的全流程自主可控，形成具有国际竞争力的功率器件供应链体系。