概述

聚焦功率半导体，高可靠高效能，车规级及安全认证等、实现高精度、高速度、高宽带等性能功率器件信号芯片的研发、测试。

需求详情

技术难题背景当前国内在车规级功率器件领域技术基础薄弱，尤其在高压MOSFET、IGNBT及宽禁带半导体（GaN/SiC）等高端器件上严重依赖进口，制约了产业链的自主可控与安全。现状与挑战车规级功率器件要求极高的可靠性、效率及耐压性能，设计与工艺门槛高；芯片需在导通电阻、开关速度、散热性能等多维度实现平衡，技术优化难度大；封装技术、测试验证体系不完善，难以满足车规级严苛认证与长期稳定性要求。车规级功率器件项目（SG MOS中高压MOSFET、SGT MOS中低压MOSFET、SGR整流器、IGBT单管及模块、GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅） MOSFET），需要聚焦功率半导体，高可靠高效能，车规级及安全认证等、高精度、高速度、高宽带等性能的自主研发、测试的信号芯片。

技术参数

1.功率器件QFN封装：相比SOT封装，整体面积要减少20%以上，高度减少30%左右，散热效率提高30%以上。2.低导通阻抗性：水准媲美欧美一线大厂的导通阻抗性，30V电压下可以达到3.5mΩ/mm²，250V电压下达到500mΩ/mm²。3. Dummy 栅设计技术调节开关参数, 改善短路耐受性。精细化调整的沟槽结构，更好的电导调制效果保障器件耐压前提下，超薄芯片工艺调整动态损耗，参数对标英飞凌EDT24.30V~250V的典型值需要覆盖大部分主流汽车应用领域。

项目预期

开发覆盖30V-250V的SGT/SG MOS、IGBT及GaN/SiC器件，性能对标英飞凌等国际大厂；实现QFN封装面积减少20%、散热效率提升30%，导通电阻达到3.5mΩ/mm²@30V等关键技术指标；突破关键核心技术，填补国产空白，构建自主车规级功率器件产品体系。