高PPI低功耗CMOS开发
概述
高PPI低功耗CMOS开发
需求详情
需解决的技术问题有:    ① 设计紧凑微小型化、低功耗、高PPI Micro-OLED CMOS电路晶圆;    ② 开发超高亮度、长寿命OLED器件;    ③ 开发大视角光机镜头系统;具体指标:    ① 产品类型:micro OLED    ② 尺寸:≤0.1inch;    ③ PPI:≥7800;    ④ 全彩亮度:≥100000nits;    ⑤ FOV:≥ 30°    ⑥ 体积:≤0.2cc;    ⑦功耗(100%APL):≤20mW    ④ 整体产品体积微小型化。
征集中
金额:400万元-500万元