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高PPI低功耗CMOS开发
概述
高PPI低功耗CMOS开发
需求详情
需解决的技术问题有: ① 设计紧凑微小型化、低功耗、高PPI Micro-OLED CMOS电路晶圆; ② 开发超高亮度、长寿命OLED器件; ③ 开发大视角光机镜头系统;具体指标: ① 产品类型:micro OLED ② 尺寸:≤0.1inch; ③ PPI:≥7800; ④ 全彩亮度:≥100000nits; ⑤ FOV:≥ 30° ⑥ 体积:≤0.2cc; ⑦功耗(100%APL):≤20mW ④ 整体产品体积微小型化。
征集中
金额:400万元-500万元