半导体装置及半导体装置的制造方法

本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式提供一种抑制贴合垫端部的空隙的产生，且能够抑制EM耐性、SM耐性等变差的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1元件构成部，具备设置在第1半导体衬底的第1金属垫、及连接于第1金属垫的至少一部分的第1电路；以及第2元件构成部，具备以与第1金属垫对应的方式设置且与第1金属垫接合的第2金属垫、及连接于第2金属垫的至少一部分的第2电路，且贴合在第1元件构成部。在实施方式的半导体装置中，第1金属垫及第2金属垫的至少一者具有设置在第1元件构成部与第2元件构成部的贴合面的凹陷部、及填充在凹陷部的碳膜。