一种芯片缺陷修饰装置及方法

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一种芯片缺陷修饰装置及方法
申请号:CN202410720074
申请日期:2024-06-05
公开号:CN118315310B
公开日期:2024-08-23
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种芯片缺陷修饰装置及方法,使二氧化碳进入超临界状态,提升氢气对芯片的钝化效果,通过微波模块发出的微波对芯片的表面进一步加热,进一步促进氢分子和氢原子在芯片中扩散;通过超声波模块发出的声波与二氧化碳超临界流体作用,二氧化碳超临界流体发生空化作用促进氢分子和氢原子在芯片中扩散;加入活性剂吸附氢分子,氢分子吸附在铂表面的金属位置上,从而形成氢原子,实现对氢分子的分解,增加了氢原子的数量,促进氢原子与芯片中的原子之间形成共价键,提升钝化效果。
技术关键词
反应釜 超声波模块 同位素气体 微波模块 修饰方法 芯片 加热模块 压力检测模块 活性剂 氢气 超临界 分子 抽真空装置 压强 共价键 气氛