功率半导体器件的结温计算方法和结温计算装置

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功率半导体器件的结温计算方法和结温计算装置
申请号:CN202410726426
申请日期:2024-06-05
公开号:CN118690639A
公开日期:2024-09-24
类型:发明专利
摘要
本申请提供了一种功率半导体器件的结温计算方法和结温计算装置,该方法包括:实时获取功率半导体器件的功率损耗,并将功率损耗利用正交分解为多个功率损耗基脉冲,功率损耗基脉冲为表示功率损耗的基本脉冲;利用字典学习算法对多个功率损耗基脉冲进行迭代优化以重构功率损耗和功率损耗基脉冲,得到优化基脉冲,优化基脉冲为对功率损耗基脉冲进行优化后最优的一个基本脉冲;将优化基脉冲转化为对应的温度基脉冲,并利用温度基脉冲进行热剖面重构,得到功率半导体器件的结温,温度基脉冲为表示温度的基本脉冲。该方法解决了现有技术中长期运行工况下的结温估算效率低的问题。
技术关键词
功率半导体器件 脉冲 字典学习算法 损耗 矩阵 计算方法 热阻抗 可读存储介质 匹配追踪算法 样本 重构单元 结温 计算机程序产品 误差 网络 指令