低暗电流p on n型碲镉汞器件、制备方法及红外探测器

本发明提出了低暗电流p on n型碲镉汞器件、制备方法及红外探测器，其中，制备方法包括：S10，建立p on n型碲镉汞器件的仿真模型，通过性能测试实验分别获取p型层掺杂浓度、n型层掺杂浓度、过渡层厚度与暗电流间的关系趋势；S20，基于获得的关系趋势，确定待制备的p on n型碲镉器件的p型层、n型层掺杂浓度范围及过渡层的厚度范围；S30，生长衬底层，在衬底层上依次生长n型层、过渡层和p型层；其中，当p on n型碲镉器件为台面型长波器件时，n型层的掺杂In浓度范围为1×1015/cm3~1×1018/cm3，过渡层的厚度范围为0.1μm~0.3μm，p型层的掺杂Hg空位或As浓度范围为5×1015/cm3~5×1017/cm3。本发明可制备低暗电流器件，应用价值高。