一种氧化钨基同质结光电忆阻器的制备及网络入侵检测方法

本发明涉及了一种氧化钨基同质结光电忆阻器的制备及网络入侵检测方法。其中氧化钨基同质结光电忆阻器的制备方法包括以下步骤：氧化铟锡经清洗后得到底电极；氧化钨靶在贫氧环境下通过射频磁控溅射在底部电极上得到贫氧氧化钨薄膜；氧化钨靶在富氧环境下通过射频磁控溅射在贫氧氧化钨薄膜上得到富氧氧化钨薄膜；银靶通过直流磁控溅射得到银顶电极。此器件中氧化钨贫氧层和氧化钨富氧层因能带差异形成同质结，在同质结和与持续光电效应的作用下，器件在光电信号调制下可以实现基本的突触行为。基于器件的光电突触性能，本发明设计了一种网络入侵检测方法，包括数据预处理和图像分类单元，为网络安全和实时监控领域提供了新的视角和工具。