氮化镓基半导体绿光激光芯片及外延结构的生长方法

本发明提出了一种氮化镓基半导体绿光激光芯片及外延结构的生长方法，包括从下至上依次设置的单晶衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层，所述有源层为量子阱，所述有源层包括具有体积弹性模量分布特性的第一低失配应力量子阱和第二低失配应力量子阱。本发明能够调制并降低有源区的应力失配，抑制极化效应和QCSE效应，减少能带倾斜和价带带阶差，提升激光器激射功率，同时，低失配应力量子阱可提升导带和重空穴带对称性，在同样注入电流下各自的准费米能级可等概率进入各自能带，加快激光器达到粒子数反转条件，降低激光器阈值电流密度，降低激光器的内部光吸收损耗和自由载流子吸收损耗。