一种芯片扇出型封装方法及重构芯片

本申请提供了一种芯片扇出型封装方法，具体为：将所述第一芯片和所述第二芯片并列进行封装得到第一预封装件；其中，所述第一预封装件的所述第一正电极、第一负电极、第二正电极和第二负电极露出；将所述第一预封装件的第一负电极和第二正电极通过增材制造方式进行连接至第二预设高度，将所述第一预封装件的第一正电极和第二负电极通过增材制造方式分别制作扇出型电路至所述第二预设高度得到第二预封装件。通过增材制造方式将所述芯片电路的电极区域进行连接并导通解决了“现有工艺都需要溅射种子层，制作完成后还要采用蚀刻的工艺去除种子层，对芯片会造成伤害”的技术问题，免除了种子层，直接一次完成芯片电极互连或重新分布。