一种基于辐射碰撞模型的氙等离子体电子温度确定方法

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一种基于辐射碰撞模型的氙等离子体电子温度确定方法
申请号:CN202410799313
申请日期:2024-06-20
公开号:CN118734664B
公开日期:2025-12-05
类型:发明专利
摘要
本公开提供一种基于辐射碰撞模型的氙等离子体电子温度确定方法,包括:确定稳态近似状态的原子能级的速率方程;确定Z箍缩聚变中氙等离子体中占据主导地位的粒子反应类型;根据氙等离子体中占据主导地位的粒子反应类型和稳态近似状态的原子能级的速率方程,确定氙等离子体的速率平衡方程;确定相邻能级的布居密度比;根据相邻能级的布居密度比,确定简化的氙等离子体的速率平衡方程;确定谱线强度比值;根据简化的氙等离子体的速率平衡方程、谱线强度比值以及预设的Boltzmann方程,确定氙等离子体电子温度。通过本公开,采用相对光强线比法简便的计算Z箍缩条件下氙等离子体的电子温度,减少数据处理量,并提高数据准确率。
技术关键词
原子能 方程 速率 碰撞模型 稳态 密度 电子 粒子 强度 光电 定义 光强 频率 数据