霍尔元件、其制备方法及晶圆级霍尔元件芯片
# 热门搜索 #
大模型
人工智能
openai
融资
chatGPT
AITNT公众号
AITNT APP
AITNT交流群
搜索
首页
AI资讯
AI技术研报
AI监管政策
AI产品测评
AI商业项目
AI产品热榜
AI专利库
寻求报道
霍尔元件、其制备方法及晶圆级霍尔元件芯片
申请号:
CN202410805251
申请日期:
2024-06-20
公开号:
CN118613138A
公开日期:
2024-09-06
类型:
发明专利
摘要
本发明公开了一种霍尔元件、其制备方法及晶圆级霍尔元件芯片,通过将金属线圈层和霍尔功能层结合在一起,可以在不增加光罩和其余成本的基础上,在同一片晶圆上同时制备出霍尔功能层和能提供霍尔功能层所需的外加磁场的金属线圈层,可以无需封装直接对霍尔功能层进行测试,实现了不需要封装测试和额外测试设备的晶圆级的产品测试验证,既大幅度缩短了产品验证周期,也节省了封装测试和购买外加磁场设备的费用。
技术关键词
金属线圈
霍尔元件芯片
金属电极
衬底
产品验证
螺旋状
测试设备
电气
光罩
周期
基础
通道