一种应用于风光储多能变换装备内部IGBT结构失效的多物理场仿真建模方法
申请号:CN202410814836
申请日期:2024-06-24
公开号:CN118917126A
公开日期:2024-11-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种应用于风光储多能变换装备内部IGBT结构失效的多物理场仿真建模方法,包括如下步骤:步骤一,根据IGBT封装模块的尺寸参数建立其三维几何模型;步骤二,对所构建模型加入键合线或焊料层失效的几何特征;步骤三,通过材料参数设定、多物理场边界设置以及网格剖分构建仿真模型;步骤四,通过仿真模拟和多物理场耦合运算获得键合线与焊料层失效的运行特性分布。本发明通过构建具有内部键合线与焊料层结构失效特征的IGBT多物理场仿真模型,可以模拟IGBT内部键合线和焊料层的失效,获取IGBT内部结构失效后的运行特性分布,从而对IGBT内部结构失效影响进行分析,进而开展可靠性研究,提高风光储多能变换装备运行的稳定性。
技术关键词
IGBT结构
仿真建模方法
失效特征
IGBT封装模块
物理
风光
焊料
仿真模型
装备
绝缘陶瓷层
IGBT模块
三维模型
网格
铜基板
键合线
参数
固体
芯片